技術(shù)參數(shù)

二次電子分辨率：0.8 nm (加速電壓 15 kV) (標(biāo)準(zhǔn)模式，非任何減速模式下)

1.1 nm (加速電壓 1 kV)(減速模式)

放大倍數(shù)：20 到 1000k         加速電壓：20-1000k

電位移：±12μm(WD=8mm)

光闌：4孔物鏡活動(dòng)光闌系統(tǒng)：內(nèi)置自清潔裝置（孔徑30、50、50、100μm）

探測(cè)器：低位（Lower）、高位（Upper）二次電子探測(cè)器、高位過(guò)濾背散射探頭

信號(hào)選擇：二次電子像、背散射電子像、混合像

快速換樣系統(tǒng)：100mm直徑大樣品交換倉(cāng)，換樣時(shí)間30秒

真空轉(zhuǎn)移系統(tǒng)：日立原裝真空轉(zhuǎn)移系統(tǒng)

能譜儀：布魯克60mm2能譜

應(yīng)用范圍

1、加速電壓減速功能，具有波長(zhǎng)較短、像差較小、分辨力高的一系列優(yōu)點(diǎn)，降低樣品損傷的同時(shí)，可以獲得低電壓高分辨的圖像。2、SE/BSE信號(hào)按比例接收功能，電鏡配有低位（Lower），高位（Upper）二次電子探測(cè)器，高位過(guò)濾背散射探頭，可以通過(guò)改變透鏡內(nèi)變換電極的電壓，讓檢測(cè)器捕捉到二次電子及背散射電子，以任意比例（100級(jí)）混合，達(dá)到最 佳對(duì)比度的觀察，抑制荷電、邊緣效應(yīng)，從而獲得對(duì)比度最 佳的SEM像。